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集成電路布圖設計專有權公告(2018年8月15日)
發布時間:2018-08-15

布圖設計登記號:BS.175533288
布圖設計申請日:2017年9月27日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16184
布圖設計名稱:FX3071
布圖設計類別:
    結構:Bi-MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:福建省福芯電子科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:福建省福州市鼓樓區軟件大道89號福州軟件園A區28號樓三層(301)
布圖設計創作人:李華鋒
代理機構:福州市景弘專利代理事務所(普通合伙)
代理人:林祥翔
布圖設計創作完成日:2016年12月20日
布圖設計首次商業利用日:2017年3月17日


布圖設計登記號:BS.175533296
布圖設計申請日:2017年9月27日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16185
布圖設計名稱:FX7N65
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:NMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:福建省福芯電子科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:福建省福州市鼓樓區軟件大道89號福州軟件園A區28號樓三層(301)
布圖設計創作人:陳虞平、胡興正
代理機構:福州市景弘專利代理事務所(普通合伙)
代理人:林祥翔
布圖設計創作完成日:2016年9月25日
布圖設計首次商業利用日:2016年12月18日


布圖設計登記號:BS.175534403
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16186
布圖設計名稱:LDON2
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:哈工大機器人(合肥)國際創新研究院
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈6012室
布圖設計創作人:翟榮安
代理機構:合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙)
代理人:丁瑞瑞
布圖設計創作完成日:2017年8月18日


布圖設計登記號:BS.175534411
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16187
布圖設計名稱:LDOP2
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:哈工大機器人(合肥)國際創新研究院
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈6012室 
布圖設計創作人:翟榮安
代理機構:合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙)
代理人:丁瑞瑞
布圖設計創作完成日:2017年8月18日


布圖設計登記號:BS.17553442X
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16188
布圖設計名稱:amp23
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:哈工大機器人(合肥)國際創新研究院
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈6012室 
布圖設計創作人:王純配
代理機構:合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙)
代理人:丁瑞瑞
布圖設計創作完成日:2017年8月20日


布圖設計登記號:BS.175535698
布圖設計申請日:2017年10月29日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16189
布圖設計名稱:UC1701
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:上海宇芯科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區達爾文路88號3幢4樓
布圖設計創作人:蔣玉東
代理機構:上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙)
代理人:成麗杰
布圖設計創作完成日:2016年3月4日


布圖設計登記號:BS.175536163
布圖設計申請日:2017年10月31日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16190
布圖設計名稱:基于標準CMOS工藝帶BTNMOS的FS ESD保護單元
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:成都紫微芯源科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市高新區盛華南路80號32棟22層2218號
布圖設計創作人:成都紫微芯源科技有限公司
布圖設計創作完成日:2017年10月20日


布圖設計登記號:BS.175004536
布圖設計申請日:2017年6月21日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16191
布圖設計名稱:內置霍爾直流無刷風扇驅動電路
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:紹興光大芯業微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:浙江省紹興市天姥路13號
布圖設計創作人:紹興光大芯業微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年1月12日


布圖設計登記號:BS.175009627
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16192
布圖設計名稱:VSICSDEARTH2017
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:芯原微電子(上海)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區松濤路560號張江大廈20A
布圖設計權利人:芯原微電子(北京)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:北京市海淀區東北旺西路8號中關村軟件園信息中心大廈A座一層A106
布圖設計權利人:芯原微電子(成都)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市成都高新區天華二路219號天府軟件園C區10棟23層230房號
布圖設計創作人:芯原微電子(上海)有限公司
代理機構:上海光華專利事務所(普通合伙)
代理人:余明偉
布圖設計創作完成日:2016年10月14日


布圖設計登記號:BS.175009635
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16193
布圖設計名稱:VSICSDATPMS2017
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:芯原微電子(上海)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區松濤路560號張江大廈20A
布圖設計權利人:芯原微電子(北京)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:北京市海淀區東北旺西路8號中關村軟件園信息中心大廈A座一層A106
布圖設計權利人:芯原微電子(成都)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市成都高新區天華二路219號天府軟件園C區10棟23層230房號
布圖設計創作人:芯原微電子(上海)有限公司
代理機構:上海光華專利事務所(普通合伙)
代理人:余明偉
布圖設計創作完成日:2016年7月10日


布圖設計登記號:BS.175009643
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16194
布圖設計名稱:VSICSDHKDW2017
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:芯原微電子(上海)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區松濤路560號張江大廈20A
布圖設計權利人:芯原微電子(北京)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:北京市海淀區東北旺西路8號中關村軟件園信息中心大廈A座一層A106
布圖設計權利人:芯原微電子(成都)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市成都高新區天華二路219號天府軟件園C區10棟23層230房號
布圖設計創作人:芯原微電子(上海)有限公司
代理機構:上海光華專利事務所(普通合伙)
代理人:余明偉
布圖設計創作完成日:2016年5月20日


布圖設計登記號:BS.175535639
布圖設計申請日:2017年10月28日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16195
布圖設計名稱:高電源抑制比基準電流源
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:四川海創天芯科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市中國(四川)自由貿易實驗區成都高新區天府三街219號2棟8、9、10、14、17樓
布圖設計權利人:成都信息工程大學
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市西南航空港經濟開發區學府路一段24號
布圖設計創作人:李芝友
布圖設計創作完成日:2017年10月12日


布圖設計登記號:BS.175535736
布圖設計申請日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16196
布圖設計名稱:AU50
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:福建省廈門市思明區珍珠灣廈門軟件園創新大廈A區12樓
布圖設計創作人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計創作完成日:2012年12月31日


布圖設計登記號:BS.175535744
布圖設計申請日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16197
布圖設計名稱:PM13
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:福建省廈門市思明區珍珠灣廈門軟件園創新大廈A區12樓
布圖設計創作人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計創作完成日:2013年12月31日


布圖設計登記號:BS.175535752
布圖設計申請日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16198
布圖設計名稱:PM08
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:NMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:福建省廈門市思明區珍珠灣廈門軟件園創新大廈A區12樓
布圖設計創作人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計創作完成日:2011年12月30日


布圖設計登記號:BS.175535760
布圖設計申請日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月15日
公告號:16199
布圖設計名稱:MS18C
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:福建省廈門市思明區珍珠灣廈門軟件園創新大廈A區12樓
布圖設計創作人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計創作完成日:2012年12月31日

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