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集成電路布圖設計專有權公告(2018年8月17日)
發布時間:2018-08-17

布圖設計登記號:BS.175535779
布圖設計申請日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16200
布圖設計名稱:MS36B
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:福建省廈門市思明區珍珠灣廈門軟件園創新大廈A區12樓
布圖設計創作人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計創作完成日:2011年12月30日


布圖設計登記號:BS.175535787
布圖設計申請日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16201
布圖設計名稱:MS57A
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:福建省廈門市思明區珍珠灣廈門軟件園創新大廈A區12樓
布圖設計創作人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計創作完成日:2012年12月31日


布圖設計登記號:BS.175535795
布圖設計申請日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16202
布圖設計名稱:MS60A
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:福建省廈門市思明區珍珠灣廈門軟件園創新大廈A區12樓
布圖設計創作人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計創作完成日:2013年12月31日


布圖設計登記號:BS.175535809
布圖設計申請日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16203
布圖設計名稱:MS62A
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:福建省廈門市思明區珍珠灣廈門軟件園創新大廈A區12樓
布圖設計創作人:矽恩微電子(廈門)有限公司
布圖設計創作完成日:2012年12月31日


布圖設計登記號:BS.175535817
布圖設計申請日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16204
布圖設計名稱:E1750 POWER board Ver1.0
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:NMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:杭州安疌能動力科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:浙江省杭州市蕭山區戴村鎮三頭村
布圖設計創作人:許成君
布圖設計創作完成日:2017年3月20日


布圖設計登記號:BS.175536252
布圖設計申請日:2017年11月1日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16205
布圖設計名稱:單端轉差分電平轉換電路
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:成都中科華微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市高新區創業路16號火炬大廈B-702號
布圖設計創作人:王濤
代理機構:北京天奇智新知識產權代理有限公司
代理人:楊春
布圖設計創作完成日:2017年9月30日


布圖設計登記號:BS.175536309
布圖設計申請日:2017年11月2日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16206
布圖設計名稱:TS40V-1
布圖設計類別:
    結構:其他
    技術:其他
    功能:其他
布圖設計權利人:浙江美晶科技股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:浙江省湖州市吳興區戴山路1888號吳興區科技創業園8號標準廠房一樓
布圖設計創作人:戴勝強
布圖設計創作完成日:


布圖設計登記號:BS.175536791
布圖設計申請日:2017年11月9日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16207
布圖設計名稱:高壓直流升壓型轉換芯片
布圖設計類別:
    結構:Bi-MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳市中廣芯源科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市寶安區沙井街道中心路金達城大廈3-11層(11樓K單元) 
布圖設計創作人:羅妃艷、姜廣獻、羅猛
代理機構:北京匯信合知識產權代理有限公司
代理人:翟國明
布圖設計創作完成日:2017年6月30日


布圖設計登記號:BS.175536805
布圖設計申請日:2017年11月9日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16208
布圖設計名稱:高壓降壓型直流轉換芯片布圖
布圖設計類別:
    結構:Bi-MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳市中廣芯源科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市寶安區沙井街道中心路金達城大廈3-11層(11樓K單元)
布圖設計創作人:羅妃艷、姜廣獻、羅猛
代理機構:北京匯信合知識產權代理有限公司
代理人:翟國明
布圖設計創作完成日:2017年6月30日


布圖設計登記號:BS.175009899
布圖設計申請日:2017年10月21日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16209
布圖設計名稱:集成APD陣列探測器
布圖設計類別:
    結構:Bipolar
    技術:其他
    功能:其他
布圖設計權利人:中國電子科技集團公司第四十四研究所
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:重慶市南岸區南坪花園14號
布圖設計創作人:鄧光平、鐘四成、李仁豪、唐遵烈、李夢萄
代理機構:重慶輝騰律師事務所
代理人:侯春樂
布圖設計創作完成日:2016年1月15日


布圖設計登記號:BS.175009902
布圖設計申請日:2017年10月21日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16210
布圖設計名稱:240X240元高幀頻電子倍增CCD
布圖設計類別:
    結構:其他
    技術:其他
    功能:其他
布圖設計權利人:中國電子科技集團公司第四十四研究所
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:重慶市南岸區南坪花園14號
布圖設計創作人:白雪平
代理機構:重慶輝騰律師事務所
代理人:侯春樂
布圖設計創作完成日:2017年3月20日


布圖設計登記號:BS.175009996
布圖設計申請日:2017年10月25日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16211
布圖設計名稱:ATGC001_K
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:張家港萬眾一芯生物科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省蘇州市張家港鳳凰大道7號鳳凰科創園D棟3層
布圖設計創作人:張韜
代理機構:南京縱橫知識產權代理有限公司
代理人:董建林
布圖設計創作完成日:2017年9月9日


布圖設計登記號:BS.175010005
布圖設計申請日:2017年10月25日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16212
布圖設計名稱:ATGC001_KK
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:張家港萬眾一芯生物科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省蘇州市張家港鳳凰大道7號鳳凰科創園D棟3層
布圖設計創作人:張韜
代理機構:南京縱橫知識產權代理有限公司
代理人:董建林
布圖設計創作完成日:2017年9月9日


布圖設計登記號:BS.17501017X
布圖設計申請日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16213
布圖設計名稱:低功耗音頻ADC芯片版圖
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:武漢光華芯科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:湖北省武漢市東湖新技術開發區光谷大道62號光谷國際總部6幢801,802,807,808室
布圖設計創作人:崔磊、吳飛
代理機構:北京路浩知識產權代理有限公司
代理人:王慶龍
布圖設計創作完成日:2017年9月28日


布圖設計登記號:BS.17501020X
布圖設計申請日:2017年10月25日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16214
布圖設計名稱:EM1145型4通道千兆以太網收發電路
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:NMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:中國電子科技集團公司第三十二研究所
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市嘉定區嘉羅路1485號
布圖設計創作人:於建、于健旺、徐國強
代理機構:上海漢聲知識產權代理有限公司
代理人:郭國中
布圖設計創作完成日:2016年12月15日
布圖設計首次商業利用日:2017年6月2日


布圖設計登記號:BS.175533458
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16215
布圖設計名稱:BUCK內置基準電壓電路BIBG
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年3月10日


布圖設計登記號:BS.175533466
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16216
布圖設計名稱:快速遲滯比較器FHCOMP
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年3月10日


布圖設計登記號:BS.175533474
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16217
布圖設計名稱:升壓電荷泵專用4象限時鐘產生電路FQNOCGCFBCP
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年4月6日


布圖設計登記號:BS.175533482
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16218
布圖設計名稱:增益可編程帶靜音音頻前置放大電路GPWMFAPC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年4月6日


布圖設計登記號:BS.175533490
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16219
布圖設計名稱:高增益可編程模數轉換器參考電壓產生電路HGPADCVG
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年5月8日


布圖設計登記號:BS.175533504
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16220
布圖設計名稱:高精度高抑制比多路參考電壓產生電路HPHRMRVGC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年5月20日


布圖設計登記號:BS.175533512
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16221
布圖設計名稱:高精度可編程電流基準HPPCREF
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年5月20日


布圖設計登記號:BS.175533520
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16222
布圖設計名稱:高速脈沖吞咽計數器HSPSC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年5月20日


布圖設計登記號:BS.175533539
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16223
布圖設計名稱:低功耗與電源無關偏置電路LPBIAS
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年6月22日


布圖設計登記號:BS.175533547
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16224
布圖設計名稱:低功耗線性穩壓器LPLDO
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年7月10日


布圖設計登記號:BS.175533555
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16225
布圖設計名稱:可編程鎖定檢測電路PLDC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年7月10日


布圖設計登記號:BS.175533563
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16226
布圖設計名稱:快速短路保護電路QSCPC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年8月28日


布圖設計登記號:BS.175533571
布圖設計申請日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16227
布圖設計名稱:單環1Bit量化二階調制器SROBQSOM
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥愷英信息科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓904室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年9月30日


布圖設計登記號:BS.17553358X
布圖設計申請日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16228
布圖設計名稱:TP4100/TP4101(1000mA/500mA 線性鋰電池充電、放電保護芯片
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省南京市秦淮區石門坎104號現代服務大廈D座5層 
布圖設計創作人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年1月10日
布圖設計首次商業利用日:2017年3月10日


布圖設計登記號:BS.175533598
布圖設計申請日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16229
布圖設計名稱:TP4067(3mA-600mA 線性鋰離子電池充電器)
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省南京市秦淮區石門坎104號現代服務大廈D座5F
布圖設計創作人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2016年9月15日
布圖設計首次商業利用日:2016年11月11日

 

布圖設計登記號:BS.175533601
布圖設計申請日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16230
布圖設計名稱:TP8305B高效率恒流/限流WLED 驅動器
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省南京市秦淮區石門坎104號現代服務大廈D座5樓
布圖設計創作人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2016年10月10日
布圖設計首次商業利用日:2016年12月16日


布圖設計登記號:BS.175533652
布圖設計申請日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16231
布圖設計名稱:TP4056X(1A線性鋰離子電池充電器)
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省南京市秦淮區石門坎104號現代服務大廈D座5樓
布圖設計創作人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年3月1日
布圖設計首次商業利用日:2017年5月10日


布圖設計登記號:BS.175533660
布圖設計申請日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16232
布圖設計名稱:TP5000X(2A開關型4.2V鋰電池/3.6V鐵鋰電池充電器)
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省南京市秦淮區石門坎104號現代服務大廈D座5樓
布圖設計創作人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年4月4日
布圖設計首次商業利用日:2017年6月20日


布圖設計登記號:BS.175533679
布圖設計申請日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16233
布圖設計名稱:TP8307高效率恒流/限流WLED驅動器 
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省南京市秦淮區石門坎104號現代服務大廈D座5樓 
布圖設計創作人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年3月15日
布圖設計首次商業利用日:2017年6月2日


布圖設計登記號:BS.175533687
布圖設計申請日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16234
布圖設計名稱:TP5602 移動電源專用4合1單片系統
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省南京市秦淮區石門坎104號現代服務大廈D座5樓
布圖設計創作人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年4月14日
布圖設計首次商業利用日:2017年6月26日


布圖設計登記號:BS.175533733
布圖設計申請日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16235
布圖設計名稱:TP4054 線性鋰離子電池充電器
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:線性
布圖設計權利人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省南京市秦淮區石門坎104號現代服務大廈D座5樓
布圖設計創作人:南京拓品微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2016年8月8日
布圖設計首次商業利用日:2016年11月8日


布圖設計登記號:BS.175534012
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16236
布圖設計名稱:12位可編程高速分頻器12BPHSFD
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年1月9日


布圖設計登記號:BS.175534020
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16237
布圖設計名稱:SOG內置選通電路SOGIMUX
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年1月9日


布圖設計登記號:BS.175534039
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16238
布圖設計名稱:SOG內置低通濾波電路SOGLPF
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年3月12日


布圖設計登記號:BS.175534047
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16239
布圖設計名稱:VADC內置模擬自我測試電路VADCABIST
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年3月12日


布圖設計登記號:BS.175534055
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16240
布圖設計名稱:VADC增益控制電路VADCGCTL
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年4月17日


布圖設計登記號:BS.175534063
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16241
布圖設計名稱:VADC內置基準電壓電路VADCIBG
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年4月17日


布圖設計登記號:BS.175534071
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16242
布圖設計名稱:VADC電流基準電路VADCIBIAS
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年5月22日


布圖設計登記號:BS.17553408X
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16243
布圖設計名稱:VADC內置選通電路VADCIMUX
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年6月24日


布圖設計登記號:BS.175534098
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16244
布圖設計名稱:VADC內置低通濾波電路VADCLPF
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年6月24日


布圖設計登記號:BS.175534101
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16245
布圖設計名稱:VADC內置電平轉移電路VADCLS
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年7月28日


布圖設計登記號:BS.17553411X
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16246
布圖設計名稱:VADC失調控制電路VADCOSCTL
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年8月18日


布圖設計登記號:BS.175534136
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16247
布圖設計名稱:VADC內置采樣保持電路VADCSH
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年9月22日


布圖設計登記號:BS.175534144
布圖設計申請日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16248
布圖設計名稱:VADC內置SOG電路VADCSOG
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥博融科自動化科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓903室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年10月10日


布圖設計登記號:BS.175534195
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16249
布圖設計名稱:具有ESD鉗位功能的模擬接口電路ANAIC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年6月28日


布圖設計登記號:BS.175534209
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16250
布圖設計名稱:電流型數模轉換單元CMDACU
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年6月28日


布圖設計登記號:BS.175534217
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16251
布圖設計名稱:折疊型共源共柵運算放大器FCOPAMP
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年6月28日


布圖設計登記號:BS.175534233
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16252
布圖設計名稱:高精度10bit分段電流舵型數模轉換電路HPSCSDAC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年7月22日


布圖設計登記號:BS.175534241
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16253
布圖設計名稱:高電源抑制比帶隙基準電路HPSRRBG
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年8月24日


布圖設計登記號:BS.17553425X
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16254
布圖設計名稱:熱插拔閾值產生電路HPTGC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年8月24日


布圖設計登記號:BS.175534268
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16255
布圖設計名稱:多功能高速接口電路MHSIC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年9月19日


布圖設計登記號:BS.175534276
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16256
布圖設計名稱:基準電壓偏置電流產生電路RVCGC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年9月19日


布圖設計登記號:BS.175534284
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16257
布圖設計名稱:分段電流舵電路單元SCSCU
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年9月19日


布圖設計登記號:BS.175534292
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16258
布圖設計名稱:SMIC180熱插拔遲滯比較器SMICHPHC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年10月12日


布圖設計登記號:BS.175534306
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16259
布圖設計名稱:SMIC180晶體振蕩器SMICOSC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年10月12日


布圖設計登記號:BS.175534314
布圖設計申請日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16260
布圖設計名稱:3通道分段電流舵型數模轉換器TSCSDAC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年10月12日


布圖設計登記號:BS.175534969
布圖設計申請日:2017年10月18日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16261
布圖設計名稱:64位乘法器芯片
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥儒楨信息科技有限責任公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區天元路1號留學生園1號樓102室
布圖設計創作人:陳川,高坤軍
代理機構:北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)
代理人:胡劍輝
布圖設計創作完成日:2017年9月26日


布圖設計登記號:BS.175534977
布圖設計申請日:2017年10月18日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16262
布圖設計名稱:三階低通濾波器
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥儒楨信息科技有限責任公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區天元路1號留學生園1號樓102室
布圖設計創作人:陳川,高坤軍
代理機構:北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)
代理人:胡劍輝
布圖設計創作完成日:2017年9月26日


布圖設計登記號:BS.175534985
布圖設計申請日:2017年10月18日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16263
布圖設計名稱:低功耗LDO
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥儒楨信息科技有限責任公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區天元路1號留學生園1號樓102室
布圖設計創作人:陳川,高坤軍
代理機構:北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)
代理人:胡劍輝
布圖設計創作完成日:2017年9月26日


布圖設計登記號:BS.175534993
布圖設計申請日:2017年10月18日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16264
布圖設計名稱:多級運算放大器
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥儒楨信息科技有限責任公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區天元路1號留學生園1號樓102室
布圖設計創作人:陳川、高坤軍
代理機構:北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)
代理人:胡劍輝
布圖設計創作完成日:2017年9月26日


布圖設計登記號:BS.175535019
布圖設計申請日:2017年10月19日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16265
布圖設計名稱:ICN9605
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:北京集創北方科技股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:北京市大興區亦莊經濟技術開發區景園北街2號56幢
布圖設計創作人:王東旭、包蕊、張新梅
布圖設計創作完成日:2015年12月1日


布圖設計登記號:BS.175535043
布圖設計申請日:2017年10月19日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16266
布圖設計名稱:ICN9506
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:北京集創北方科技股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:北京市大興區亦莊經濟技術開發區景園北街2好56幢
布圖設計創作人:包蕊
布圖設計創作完成日:2017年1月24日


布圖設計登記號:BS.175535051
布圖設計申請日:2017年10月19日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16267
布圖設計名稱:ICN9305
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:北京集創北方科技股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:北京市大興區亦莊經濟技術開發區景園北街2號56幢
布圖設計創作人:張新梅、王東旭
布圖設計創作完成日:2017年3月22日


布圖設計登記號:BS.175535078
布圖設計申請日:2017年10月19日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16268
布圖設計名稱:ICN9395
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:北京集創北方科技股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:北京市大興區亦莊經濟技術開發區景園北街2號56幢
布圖設計創作人:包蕊、徐兆啟
布圖設計創作完成日:2017年9月28日


布圖設計登記號:BS.175535213
布圖設計申請日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16269
布圖設計名稱:ICN9335
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:北京集創北方科技股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:北京市大興區亦莊經濟技術開發區景園北街2號56幢
布圖設計創作人:張新梅、王東旭
布圖設計創作完成日:2017年4月20日


布圖設計登記號:BS.175535221
布圖設計申請日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16270
布圖設計名稱:ICN9502
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:北京集創北方科技股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:北京市大興區亦莊經濟技術開發區景園北街2號56幢
布圖設計創作人:申國輝
布圖設計創作完成日:2017年8月21日


布圖設計登記號:BS.175535310
布圖設計申請日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16271
布圖設計名稱:低功耗振蕩器
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥市華達半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路860號合蕪蚌實驗區科技創新公共服務和應用技術研發中心B棟六樓
布圖設計創作人:彭勇,朱志國
代理機構:北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)
代理人:胡劍輝
布圖設計創作完成日:2017年9月26日


布圖設計登記號:BS.175535329
布圖設計申請日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16272
布圖設計名稱:低噪聲放大器
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥市華達半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路860號合蕪蚌實驗區科技創新公共服務和應用技術研發中心B棟六樓
布圖設計創作人:彭勇、朱娟娟
代理機構:北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)
代理人:胡劍輝
布圖設計創作完成日:2017年9月26日


布圖設計登記號:BS.175535337
布圖設計申請日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16273
布圖設計名稱:有源高通濾波器
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥市華達半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路860號合蕪蚌實驗區科技創新公共服務和應用技術研發中心B棟六樓
布圖設計創作人:彭勇、朱娟娟
代理機構:北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)
代理人:胡劍輝
布圖設計創作完成日:2017年9月26日


布圖設計登記號:BS.175535345
布圖設計申請日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16274
布圖設計名稱:Sub1V帶隙基準源
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥市華達半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路860號合蕪蚌實驗區科技創新公共服務和應用技術研發中心B棟六樓
布圖設計創作人:彭勇、朱志國
代理機構:北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)
代理人:胡劍輝
布圖設計創作完成日:2017年9月26日


布圖設計登記號:BS.17553554X
布圖設計申請日:2017年10月26日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16275
布圖設計名稱:SPMXF01布圖設計
布圖設計類別:
    結構:Optical-IC
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:湖北京邦科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:湖北省鄂州市梧桐湖新區鳳凰大道9號東湖高新科技創意城A03-301
布圖設計創作人:徐青、王麟、N?達申佐、謝慶國
布圖設計創作完成日:2017年1月17日


布圖設計登記號:BS.175536422
布圖設計申請日:2017年11月2日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16276
布圖設計名稱:BUCK內置限流軟啟動電路BIIS
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:合肥來芯半導體科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市高新區望江西路800號創新產業園B1樓907室
布圖設計創作人:劉偉
布圖設計創作完成日:2017年10月20日


布圖設計登記號:BS.175536597
布圖設計申請日:2017年11月3日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16277
布圖設計名稱:一款超低功耗的通訊接口芯片
布圖設計類別:
    結構:Bi-MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:無錫景明電子科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省無錫市新吳區菱湖大道228號天安智慧城1-1108-2
布圖設計創作人:王勇
代理機構:無錫華源專利商標事務所(普通合伙)
代理人:張悅
布圖設計創作完成日:2017年5月20日


布圖設計登記號:BS.175009139
布圖設計申請日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16278
布圖設計名稱:MBDFF2B
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:上海高性能集成電路設計中心
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區畢升路399號
布圖設計創作人:姚榮
代理機構:上海泰能知識產權代理事務所
代理人:黃志達
布圖設計創作完成日:2017年8月10日


布圖設計登記號:BS.175009147
布圖設計申請日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16279
布圖設計名稱:MBDEDFF2B
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:上海高性能集成電路設計中心
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區畢升路399號
布圖設計創作人:姚榮
代理機構:上海泰能知識產權代理事務所
代理人:黃志達
布圖設計創作完成日:2017年8月10日


布圖設計登記號:BS.175009155
布圖設計申請日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16280
布圖設計名稱:BLOCK_32X4
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:上海高性能集成電路設計中心
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區畢升路399號
布圖設計創作人:戴洲濱、趙信
代理機構:上海泰能知識產權代理事務所
代理人:黃志達
布圖設計創作完成日:2013年12月30日


布圖設計登記號:BS.175009163
布圖設計申請日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16281
布圖設計名稱:BLOCK_64X8
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:上海高性能集成電路設計中心
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區畢升路399號
布圖設計創作人:戴洲濱、趙信
代理機構:上海泰能知識產權代理事務所
代理人:黃志達
布圖設計創作完成日:2013年12月10日


布圖設計登記號:BS.175009171
布圖設計申請日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16282
布圖設計名稱:BLOCK_130X8 
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:上海高性能集成電路設計中心
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區畢升路399號
布圖設計創作人:戴洲濱、方華
代理機構:上海泰能知識產權代理事務所
代理人:黃志達
布圖設計創作完成日:2013年12月20日


布圖設計登記號:BS.17500918X
布圖設計申請日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16283
布圖設計名稱:MBPLatch2B
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:上海高性能集成電路設計中心
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區畢升路399號
布圖設計創作人:姚榮
代理機構:上海泰能知識產權代理事務所
代理人:黃志達
布圖設計創作完成日:2017年8月10日


布圖設計登記號:BS.175535299
布圖設計申請日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16284
布圖設計名稱:IRSOC_ADC
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:蘇州云芯微電子科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省蘇州市昆山市花橋商銀路雙聯國際商務中心7幢6層
布圖設計創作人:劉亮明、于劍誠、張磊
布圖設計創作完成日:2017年5月17日


布圖設計登記號:BS.175535302
布圖設計申請日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16285
布圖設計名稱:IRSOC_PGA
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:蘇州云芯微電子科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省蘇州市昆山市花橋商銀路雙聯國際商務中心7幢6層
布圖設計創作人:劉洪云、李楊、勞桂旋
布圖設計創作完成日:2017年3月15日


布圖設計登記號:BS.175533067
布圖設計申請日:2017年9月21日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16286
布圖設計名稱:BPP10250DS
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:上海晶豐明源半導體股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區張衡路666弄B棟5樓
布圖設計創作人:高志勇、劉新燕、胡黎強、史建玲
代理機構:上海一平知識產權代理有限公司
代理人:李夫玲
布圖設計創作完成日:2016年8月31日
布圖設計首次商業利用日:2016年10月11日


布圖設計登記號:BS.175533075
布圖設計申請日:2017年9月21日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16287
布圖設計名稱:BPP10450DS
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:上海晶豐明源半導體股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區張衡路666弄B棟5樓
布圖設計創作人:高志勇、劉新燕、胡黎強、史建玲
代理機構:上海一平知識產權代理有限公司
代理人:李夫玲
布圖設計創作完成日:2016年10月22日
布圖設計首次商業利用日:2016年12月4日


布圖設計登記號:BS.175534489
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16288
布圖設計名稱:BYMT25D10
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:珠海博雅科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省珠海市唐家灣鎮大學路101號清華科技園創業大樓A座A1005-1007單元
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175534543
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16289
布圖設計名稱:應用于光通信前端的2.5Gbps高性能跨阻放大器
布圖設計類別:
    結構:Optical-IC
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳市前海方成微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市龍崗區坂田街道雪崗路2018號天安云谷3B2603
布圖設計創作人:劉衛宗、邱巍、鐘英權
代理機構:上海一平知識產權代理有限公司
代理人:李夫玲
布圖設計創作完成日:2017年3月8日


布圖設計登記號:BS.175534551
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16290
布圖設計名稱:應用于光通信前端的10Gbps高性能跨阻放大器
布圖設計類別:
    結構:MOS-Optical-IC
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳市前海方成微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市龍崗區坂田街道雪崗路2018號天安云谷3B2603
布圖設計創作人:邱巍、孫鵬程、劉衛宗
代理機構:上海一平知識產權代理有限公司
代理人:李夫玲
布圖設計創作完成日:2017年3月8日


布圖設計登記號:BS.175534691
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16291
布圖設計名稱:M88DB4HS2P
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:瀾起科技(上海)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市徐匯區宜山路900號科技大樓A1601室
布圖設計創作人:瀾起科技(上海)有限公司
代理機構:上海一平知識產權代理有限公司
代理人:成春榮
布圖設計創作完成日:2017年1月6日


布圖設計登記號:BS.175534705
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16292
布圖設計名稱:M88RCD4HS2P
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:瀾起科技(上海)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市徐匯區宜山路900號科技大樓A1601室
布圖設計創作人:瀾起科技(上海)有限公司
代理機構:上海一平知識產權代理有限公司
代理人:成春榮
布圖設計創作完成日:2016年12月22日


布圖設計登記號:BS.17553473X
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16293
布圖設計名稱:M88RCD4XS2P
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:瀾起科技(上海)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市徐匯區宜山路900號科技大樓A1601室
布圖設計創作人:瀾起科技(上海)有限公司
代理機構:上海一平知識產權代理有限公司
代理人:成春榮
布圖設計創作完成日:2016年9月30日


布圖設計登記號:BS.175534748
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16294
布圖設計名稱:BYMK25D16
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:珠海泓芯科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省珠海市高新區大學路清華科技園A座0222號
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175534764
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16295
布圖設計名稱:BYMK25D32
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:珠海泓芯科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省珠海市高新區大學路清華科技園A座0222號
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175534772
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16296
布圖設計名稱:BYMK25D40
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:珠海泓芯科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省珠海市高新區大學路清華科技園A座0222號
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175535175
布圖設計申請日:2017年10月20日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16297
布圖設計名稱:M88CC8801
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯-其他
布圖設計權利人:上海瀾至半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市徐匯區宜山路900號1幢A18部位
布圖設計創作人:上海瀾至半導體有限公司
代理機構:上海一平知識產權代理有限公司
代理人:成春榮
布圖設計創作完成日:2017年7月17日


布圖設計登記號:BS.175535183
布圖設計申請日:2017年10月20日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16298
布圖設計名稱:M88TC6930
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯-其他
布圖設計權利人:上海瀾至半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市徐匯區宜山路900號1幢A18部位
布圖設計創作人:上海瀾至半導體有限公司
代理機構:上海一平知識產權代理有限公司
代理人:成春榮
布圖設計創作完成日:2017年4月24日


布圖設計登記號:BS.175535191
布圖設計申請日:2017年10月20日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16299
布圖設計名稱:M88WI6608
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:瀾至電子科技(成都)有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市雙流區東升街道成都芯谷產業園集中區內
布圖設計創作人:瀾至電子科技(成都)有限公司
代理機構:上海一平知識產權代理有限公司
代理人:成春榮
布圖設計創作完成日:2017年4月17日


布圖設計登記號:BS.175009619
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16300
布圖設計名稱:MOSFET 1N50
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:NMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:上海寶芯源功率半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區盛夏路560號607室
布圖設計創作人:王凡
代理機構:上海光華專利事務所(普通合伙)
代理人:余明偉
布圖設計創作完成日:2015年1月1日


布圖設計登記號:BS.175009848
布圖設計申請日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16301
布圖設計名稱:FM6124
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳市富滿電子集團股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市福田區香蜜湖街道農園路時代科技大廈西區18樓
布圖設計創作人:深圳市富滿電子集團股份有限公司
代理機構:深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙)
代理人:胡玉
布圖設計創作完成日:2017年1月15日
布圖設計首次商業利用日:2017年7月15日


布圖設計登記號:BS.175009856
布圖設計申請日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16302
布圖設計名稱:FM6128
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳市富滿電子集團股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市福田區香蜜湖街道農園路時代科技大廈西區18樓
布圖設計創作人:深圳市富滿電子集團股份有限公司
代理機構:深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙)
代理人:胡玉
布圖設計創作完成日:2017年3月16日
布圖設計首次商業利用日:2017年9月4日


布圖設計登記號:BS.175009864
布圖設計申請日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16303
布圖設計名稱:FM8254
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳市富滿電子集團股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市福田區香蜜湖街道農園路時代科技大廈西區18樓
布圖設計創作人:深圳市富滿電子集團股份有限公司
代理機構:深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙)
代理人:胡玉
布圖設計創作完成日:2016年9月7日
布圖設計首次商業利用日:2017年5月15日


布圖設計登記號:BS.175009872
布圖設計申請日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16304
布圖設計名稱:TC7258EN
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳市富滿電子集團股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市福田區香蜜湖街道農園路時代科技大廈西區18樓
布圖設計創作人:深圳市富滿電子集團股份有限公司
代理機構:深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙)
代理人:胡玉
布圖設計創作完成日:2017年1月15日
布圖設計首次商業利用日:2017年7月15日


布圖設計登記號:BS.175009880
布圖設計申請日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16305
布圖設計名稱:SC6803Q
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳市富滿電子集團股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市福田區香蜜湖街道農園路時代科技大廈西區18樓
布圖設計創作人:深圳市富滿電子集團股份有限公司
代理機構:深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙)
代理人:胡玉
布圖設計創作完成日:2016年9月2日
布圖設計首次商業利用日:2017年3月12日


布圖設計登記號:BS.175009953
布圖設計申請日:2017年10月25日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16306
布圖設計名稱:Pear
布圖設計類別:
    結構:Bi-MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳伊凡微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市龍華新區大浪街道高峰社區華榮路33號億康商務大廈A棟5208室
布圖設計創作人:深圳伊凡微電子有限公司
代理機構:深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙)
代理人:胡玉
布圖設計創作完成日:2014年10月1日


布圖設計登記號:BS.17500997X
布圖設計申請日:2017年10月25日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16307
布圖設計名稱:AppIe
布圖設計類別:
    結構:Bi-MOS
    技術:CMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:深圳伊凡微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省深圳市龍華新區大浪街道高峰社區華榮路33號億康商務大廈A棟5208室
布圖設計創作人:深圳伊凡微電子有限公司
代理機構:深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙)
代理人:胡玉
布圖設計創作完成日:2014年10月1日


布圖設計登記號:BS.175534462
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16308
布圖設計名稱:BYMW25D32
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:四川泓芯科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省遂寧市經濟技術開發區玉龍路電子檢測中心辦公樓4014號
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海、張亦鋒
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175534470
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16309
布圖設計名稱:BYMT25D05
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:珠海博雅科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省珠海市唐家灣鎮大學路101號清華科技園創業大樓A座A1005-1007單元
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175534497
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16310
布圖設計名稱:BYMT25D16
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:珠海博雅科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省珠海市唐家灣鎮大學路101號清華科技園創業大樓A座A1005-1007單元
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175534500
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16311
布圖設計名稱:BYMT25D20
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:珠海博雅科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省珠海市唐家灣鎮大學路101號清華科技園創業大樓A座A1005-1007單元
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175534527
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16312
布圖設計名稱:BYMT25D80
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:珠海博雅科技有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:廣東省珠海市唐家灣鎮大學路101號清華科技園創業大樓A座A1005-1007單元
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175534578
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16313
布圖設計名稱:BYMD25D16
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:合肥博雅半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市新站區當涂北路530號安徽省泰源工程機械有限責任公司研發中心辦公樓10樓
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海、張亦鋒
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175534586
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16314
布圖設計名稱:BYMD25D20
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:合肥博雅半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市新站區當涂北路530號安徽省泰源工程機械有限責任公司研發中心辦公樓10樓
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海、張亦鋒
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日


布圖設計登記號:BS.175534594
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告號:16315
布圖設計名稱:BYMD25D32
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:存儲
布圖設計權利人:合肥博雅半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:安徽省合肥市新站區當涂北路530號安徽省泰源工程機械有限責任公司研發中心辦公樓10樓
布圖設計創作人:李迪、張登軍、劉大海、張亦鋒
代理機構:北京成創同維知識產權代理有限公司
代理人:蔡純
布圖設計創作完成日:2017年4月5日

 

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