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集成電路布圖設計專有權公告(2018年9月12日)
發布時間:2018-09-12

布圖設計登記號:BS.175536368
布圖設計申請日:2017年11月2日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16698
布圖設計名稱:基于P2P協議的高速發送接口IP核
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯-存儲-其他
布圖設計權利人:李斌
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市成都高新區益州大道中段1858號天府軟件園G5-708成都納能微電子有限公司
布圖設計創作人:成都納能微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2016年9月14日


布圖設計登記號:BS.175539308
布圖設計申請日:2017年12月4日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16699
布圖設計名稱:電源調制接收電路IP核
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯-存儲-其他
布圖設計權利人:成都納能微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市高新區益州大道中段1858號天府軟件園G5-708成都納能微電子有限公司
布圖設計創作人:成都納能微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2016年12月6日


布圖設計登記號:BS.175539340
布圖設計申請日:2017年12月4日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16700
布圖設計名稱:USB2.0 無晶振PHY IP核
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯-存儲-微型計算機-其他
布圖設計權利人:成都納能微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:四川省成都市高新區益州大道中段1858號天府軟件園G5-708成都納能微電子有限公司
布圖設計創作人:成都納能微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2016年10月4日


布圖設計登記號:BS.175009538
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16701
布圖設計名稱:GD32F303XX GD32F305XX GD32F307XX GD32F403XX
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:北京兆易創新科技股份有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:北京市海淀區學院路30號科大天工大廈A座12層
布圖設計創作人:于明、杜興興、于彩燈、黃雪晴、段海潔
代理機構:北京品源專利代理有限公司
代理人:胡彬
布圖設計創作完成日:2016年9月27日
布圖設計首次商業利用日:2017年2月1日


布圖設計登記號:BS.175537097
布圖設計申請日:2017年11月14日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16702
布圖設計名稱:ADC_DAC轉換電路
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省無錫市蠡園開發區A2樓3層
布圖設計創作人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年1月16日
布圖設計首次商業利用日:2017年8月28日


布圖設計登記號:BS.175537100
布圖設計申請日:2017年11月14日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16703
布圖設計名稱:外置電阻設置輸出電流的LED恒流驅動電路
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省無錫市蠡園開發區A2樓3層
布圖設計創作人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2016年7月19日
布圖設計首次商業利用日:2016年10月9日


布圖設計登記號:BS.175537135
布圖設計申請日:2017年11月14日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16704
布圖設計名稱:低壓編解碼電路
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省無錫市蠡園開發區A2樓3層
布圖設計創作人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年4月1日
布圖設計首次商業利用日:2017年9月16日


布圖設計登記號:BS.175537178
布圖設計申請日:2017年11月14日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16705
布圖設計名稱:通過電源線接收數據的LED恒流驅動電路
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省無錫市蠡園開發區A2樓3層
布圖設計創作人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年8月11日
布圖設計首次商業利用日:2017年10月23日


布圖設計登記號:BS.175537186
布圖設計申請日:2017年11月14日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16706
布圖設計名稱:頻率發生器電路
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省無錫市蠡園開發區A2樓3層
布圖設計創作人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年6月14日
布圖設計首次商業利用日:2017年10月23日


布圖設計登記號:BS.175537348
布圖設計申請日:2017年11月15日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16707
布圖設計名稱:高灰度大電流輸出的LED恒流驅動電路
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:CMOS
    功能:邏輯
布圖設計權利人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:江蘇省無錫市蠡園開發區A2樓3層
布圖設計創作人:無錫德芯微電子有限公司
布圖設計創作完成日:2017年6月16日
布圖設計首次商業利用日:2017年9月18日


布圖設計登記號:BS.175009570
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16708
布圖設計名稱:MOSFET 1N65 Drive MOS
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:NMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:上海寶芯源功率半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區盛夏路560號607室
布圖設計創作人:王凡
代理機構:上海光華專利事務所(普通合伙)
代理人:余明偉
布圖設計創作完成日:2015年1月1日


布圖設計登記號:BS.175009589
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16709
布圖設計名稱:MOSFET 4N65
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:NMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:上海寶芯源功率半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區盛夏路560號607室
布圖設計創作人:王凡
代理機構:上海光華專利事務所(普通合伙)
代理人:余明偉
布圖設計創作完成日:2015年1月1日


布圖設計登記號:BS.175009597
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16710
布圖設計名稱:MOSFET 2N60
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:NMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:上海寶芯源功率半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區盛夏路560號607室
布圖設計創作人:王凡
代理機構:上海光華專利事務所(普通合伙)
代理人:余明偉
布圖設計創作完成日:2015年1月1日


布圖設計登記號:BS.175009600
布圖設計申請日:2017年10月17日
公告日期:2018年9月12日
公告號:16711
布圖設計名稱:MOSFET 1N65
布圖設計類別:
    結構:MOS
    技術:NMOS
    功能:其他
布圖設計權利人:上海寶芯源功率半導體有限公司
布圖設計權利人國籍:中國
布圖設計權利人地址:上海市浦東新區盛夏路560號607室
布圖設計創作人:王凡
代理機構:上海光華專利事務所(普通合伙)
代理人:余明偉
布圖設計創作完成日:2015年1月1日

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